"ഡയോഡ്" എന്ന താളിന്റെ പതിപ്പുകൾ തമ്മിലുള്ള വ്യത്യാസം
(ചെ.) യന്ത്രം ചേര്‍ക്കുന്നു: hi:डायोड |
(ചെ.) യന്ത്രം ചേര്‍ക്കുന്നു: ur:دوبرقیرہ; cosmetic changes |
||
| വരി 4: | വരി 4: | ||
സാധാരണയായി [[സിലിക്കണ്‍]] അല്ലെങ്കില്‍ [[ജര്‍മ്മേനിയം]] അര്‍ദ്ധചാലകമാണ് ഡയോഡ് നിര്‍മ്മിക്കാന്‍ ഉപയോഗിക്കുന്നത്. ഒരു അര്‍ദ്ധചാലകത്തിന്‍റെ ഒരു വശത്തു ദാതാവ്(ഡോണര്‍) ആറ്റം കൊണ്ടും മറു വശത്തു സ്വീകര്‍ത്താവ് (അക്സപ്റ്റര്‍) കൊണ്ടും ഡോപ്പ് ചെയ്തുമാണ് ഡയോഡ് നിര്‍മ്മിക്കുന്നത്.അക്സപ്റ്റര്‍ കൊണ്ടു ഡോപ്പു ചെയ്ത ഭാഗത്തെ '''P''' ടൈപ്പ് അര്‍ദ്ധചാലകം എന്നും ഡോണര്‍ കൊണ്ടു ഡോപ്പു ചെയ്ത ഭാഗത്തെ '''N''' ടൈപ്പ് അര്‍ദ്ധചാലകം എന്നും പറയുന്നു. '''P''' ടൈപ്പ് അര്‍ദ്ധചാലകത്തില്‍ സുഷിരങ്ങള്‍ ('''Holes''', പോസിറ്റീവ് ചാര്‍ജ്ജാണ് ഇവയ്ക്ക്) ആണ് വൈദ്യുതി ചാലനം നടത്തുന്നത്, '''N''' ടൈപ്പില്‍ ഇലക്ട്രോണുകളും ('''Electrons''', നെഗറ്റീവ് ചാര്‍ജ്ജാണ് ഇവയ്ക്ക്). |
സാധാരണയായി [[സിലിക്കണ്‍]] അല്ലെങ്കില്‍ [[ജര്‍മ്മേനിയം]] അര്‍ദ്ധചാലകമാണ് ഡയോഡ് നിര്‍മ്മിക്കാന്‍ ഉപയോഗിക്കുന്നത്. ഒരു അര്‍ദ്ധചാലകത്തിന്‍റെ ഒരു വശത്തു ദാതാവ്(ഡോണര്‍) ആറ്റം കൊണ്ടും മറു വശത്തു സ്വീകര്‍ത്താവ് (അക്സപ്റ്റര്‍) കൊണ്ടും ഡോപ്പ് ചെയ്തുമാണ് ഡയോഡ് നിര്‍മ്മിക്കുന്നത്.അക്സപ്റ്റര്‍ കൊണ്ടു ഡോപ്പു ചെയ്ത ഭാഗത്തെ '''P''' ടൈപ്പ് അര്‍ദ്ധചാലകം എന്നും ഡോണര്‍ കൊണ്ടു ഡോപ്പു ചെയ്ത ഭാഗത്തെ '''N''' ടൈപ്പ് അര്‍ദ്ധചാലകം എന്നും പറയുന്നു. '''P''' ടൈപ്പ് അര്‍ദ്ധചാലകത്തില്‍ സുഷിരങ്ങള്‍ ('''Holes''', പോസിറ്റീവ് ചാര്‍ജ്ജാണ് ഇവയ്ക്ക്) ആണ് വൈദ്യുതി ചാലനം നടത്തുന്നത്, '''N''' ടൈപ്പില്‍ ഇലക്ട്രോണുകളും ('''Electrons''', നെഗറ്റീവ് ചാര്‍ജ്ജാണ് ഇവയ്ക്ക്). |
||
==ഡോപ്പിങ് == |
== ഡോപ്പിങ് == |
||
[[പ്രമാണം:Circuit symbol.JPG|ഡയോഡ് - സര്ക്കീട്ട് ചിഹ്നം|right|thumb]] |
[[പ്രമാണം:Circuit symbol.JPG|ഡയോഡ് - സര്ക്കീട്ട് ചിഹ്നം|right|thumb]] |
||
സിലികോണ്‍, ജര്‍മ്മേനിയം എന്നിങ്ങനെയുള്ള അര്‍ദ്ധചാലകങ്ങളുടെ ബാഹ്യതമഷെല്ലില്‍ നാല് [[ഇലക്ട്രോണ്‍|ഇലക്ട്രോണുകളാണുള്ളത്]]. ഇവയുടെ [[ചാലകത]] വളരെ കുറവാണ്. പൂജ്യം കെല്‍വിന്‍ [[താപനില|താപനിലയില്‍]] അര്‍ദ്ധചാലകങ്ങളുടെ ചാലകത പൂജ്യം ആണ്. എന്നാല്‍ അന്തരീക്ഷ ഊഷ്‌മാവില്‍ നിന്നും ഊര്‍ജ്ജം സ്വീകരിച്ചുകൊണ്ട്‌ ധാരാളം സഹസംയോജക ബന്ധനങ്ങള്‍ വേര്‍പെടുകയും, ഇലക്ട്രോണ്‍-ഹോള്‍ ജോഡികള്‍ (pair) ഉണ്ടാക്കപ്പെടുകയും ചെയ്യുന്നു. ഇത് ചാലകത വര്‍ദ്ധിപ്പിക്കുന്നു. ഇവയുടെ ചാലകത വര്‍ദ്ധിപ്പിക്കാനായി പുറത്തു നിന്നു മറ്റു പല ആറ്റങ്ങളെ ചേര്‍ക്കുന്ന പ്രക്രിയയാണ് '''ഡോപ്പിങ്'''. |
സിലികോണ്‍, ജര്‍മ്മേനിയം എന്നിങ്ങനെയുള്ള അര്‍ദ്ധചാലകങ്ങളുടെ ബാഹ്യതമഷെല്ലില്‍ നാല് [[ഇലക്ട്രോണ്‍|ഇലക്ട്രോണുകളാണുള്ളത്]]. ഇവയുടെ [[ചാലകത]] വളരെ കുറവാണ്. പൂജ്യം കെല്‍വിന്‍ [[താപനില|താപനിലയില്‍]] അര്‍ദ്ധചാലകങ്ങളുടെ ചാലകത പൂജ്യം ആണ്. എന്നാല്‍ അന്തരീക്ഷ ഊഷ്‌മാവില്‍ നിന്നും ഊര്‍ജ്ജം സ്വീകരിച്ചുകൊണ്ട്‌ ധാരാളം സഹസംയോജക ബന്ധനങ്ങള്‍ വേര്‍പെടുകയും, ഇലക്ട്രോണ്‍-ഹോള്‍ ജോഡികള്‍ (pair) ഉണ്ടാക്കപ്പെടുകയും ചെയ്യുന്നു. ഇത് ചാലകത വര്‍ദ്ധിപ്പിക്കുന്നു. ഇവയുടെ ചാലകത വര്‍ദ്ധിപ്പിക്കാനായി പുറത്തു നിന്നു മറ്റു പല ആറ്റങ്ങളെ ചേര്‍ക്കുന്ന പ്രക്രിയയാണ് '''ഡോപ്പിങ്'''. |
||
===N ടൈപ്പ് സെമികണ്ടക്ട്രര്‍=== |
=== N ടൈപ്പ് സെമികണ്ടക്ട്രര്‍ === |
||
ബാഹ്യതമഷെല്ലില്‍ അഞ്ച് ഇലക്ട്രോണുകളുള്ള ഫോസ്ഫറസ്('''P'''), ആന്‍റിമണി('''Sb'''), ബിസ്മത്ത് ('''Bi''') തുടങ്ങിയ ആറ്റങ്ങള്‍ കൊണ്ടു ഡോപ്പ് ചെയ്യുമ്പോഴണ് '''N''' ടൈപ്പ് സെമികണ്ടക്ട്രര്‍ ഉണ്ടാകുന്നത്. ഇവയുടെ ഒരു ആറ്റത്തിന്‍റെ ബാഹ്യതമഷെല്ലിലുള്ള അഞ്ച് ഇലക്ട്രോണുകള്‍ സിലികോണിന്‍റെ നാല് ആറ്റങ്ങളുമായി സഹസംയോജക ബന്ധനത്തില്‍ ഏര്‍പ്പെടുകയും ഒരു ഇലക്ട്രോണ്‍ ബാക്കിയാകുകയും ചെയ്യുന്നു. ഈ ഇലക്ട്രോണിന് അര്‍ദ്ധചാലക [[ക്രിസ്റ്റല്‍|ക്രിസ്റ്റലില്]] സ്വതന്ത്രമായി സഞ്ചരിക്കാന്‍ കഴിയുന്നു. അങ്ങനെ അതിന്‍റെ ചാലകത കൂടുന്നു. |
ബാഹ്യതമഷെല്ലില്‍ അഞ്ച് ഇലക്ട്രോണുകളുള്ള ഫോസ്ഫറസ്('''P'''), ആന്‍റിമണി('''Sb'''), ബിസ്മത്ത് ('''Bi''') തുടങ്ങിയ ആറ്റങ്ങള്‍ കൊണ്ടു ഡോപ്പ് ചെയ്യുമ്പോഴണ് '''N''' ടൈപ്പ് സെമികണ്ടക്ട്രര്‍ ഉണ്ടാകുന്നത്. ഇവയുടെ ഒരു ആറ്റത്തിന്‍റെ ബാഹ്യതമഷെല്ലിലുള്ള അഞ്ച് ഇലക്ട്രോണുകള്‍ സിലികോണിന്‍റെ നാല് ആറ്റങ്ങളുമായി സഹസംയോജക ബന്ധനത്തില്‍ ഏര്‍പ്പെടുകയും ഒരു ഇലക്ട്രോണ്‍ ബാക്കിയാകുകയും ചെയ്യുന്നു. ഈ ഇലക്ട്രോണിന് അര്‍ദ്ധചാലക [[ക്രിസ്റ്റല്‍|ക്രിസ്റ്റലില്]] സ്വതന്ത്രമായി സഞ്ചരിക്കാന്‍ കഴിയുന്നു. അങ്ങനെ അതിന്‍റെ ചാലകത കൂടുന്നു. |
||
അതായത്‌ ബാഹ്യതമഷെല്ലില്‍ അഞ്ച് ഇലക്ട്രോണുകളുള്ള ഒരു ആറ്റം കൊണ്ടു ഡോപ്പ് ചെയ്യുമ്പോള്‍ അര്‍ദ്ധചാലക ക്രിസ്റ്റലില് ഒരു ഇലക്ട്രോണ്‍ കൂടുതല്‍ കിട്ടുന്നു. അതുകൊണ്ട്‌ ഈ ആറ്റത്തെ ദാതാവ് (ഡോണര്‍) എന്നു വിളിക്കുന്നു. |
അതായത്‌ ബാഹ്യതമഷെല്ലില്‍ അഞ്ച് ഇലക്ട്രോണുകളുള്ള ഒരു ആറ്റം കൊണ്ടു ഡോപ്പ് ചെയ്യുമ്പോള്‍ അര്‍ദ്ധചാലക ക്രിസ്റ്റലില് ഒരു ഇലക്ട്രോണ്‍ കൂടുതല്‍ കിട്ടുന്നു. അതുകൊണ്ട്‌ ഈ ആറ്റത്തെ ദാതാവ് (ഡോണര്‍) എന്നു വിളിക്കുന്നു. |
||
===P ടൈപ്പ് സെമികണ്ടക്ട്രര്‍=== |
=== P ടൈപ്പ് സെമികണ്ടക്ട്രര്‍ === |
||
ബാഹ്യതമഷെല്ലില്‍ മൂന്നു ഇലക്ട്രോണുകളുള്ള ബോറോണ്‍('''B'''),ഗാലിയം('''Ga'''), ഇന്‍ഡിയം('''In'''), താലിയം('''Tl''') തുടങ്ങിയ ആറ്റങ്ങള്‍ കൊണ്ടു ഡോപ്പ് ചെയ്യുമ്പോഴണ് '''P''' ടൈപ്പ് സെമികണ്ടക്ട്രര്‍ ഉണ്ടാകുന്നത്. ഇവയുടെ ഒരു ആറ്റത്തിന്‍റെ ബാഹ്യതമഷെല്ലിലുള്ള മൂന്നു ഇലക്ട്രോണുകള്‍ സിലികോണിന്‍റെ നാല് ആറ്റങ്ങളുമായി സഹസംയോജക ബന്ധനത്തില്‍ ഏര്‍പ്പെടുകയും ഒരു ഇലക്ട്രോണിന്റെ കുറവു ഉണ്ടാവുകയും ചെയ്യുന്നു. ഇലക്ട്രോണിന്റെ ഈ കുറവിനെ സുഷിരം('''hole''') എന്നു പറയുന്നു. ഈ സുഷിരത്തിനു അര്‍ദ്ധചാലക ക്രിസ്റ്റലില് സ്വതന്ത്രമായി സഞ്ചരിക്കാന്‍ കഴിയുന്നു. അങ്ങനെ അതിന്‍റെ ചാലകത കൂടുന്നു. അതായത്‌ ബാഹ്യതമഷെല്ലില്‍ മൂന്നു ഇലക്ട്രോണുകളുള്ള ഒരു ആറ്റം കൊണ്ടു ഡോപ്പ് ചെയ്യുമ്പോള്‍ അര്‍ദ്ധചാലക ക്രിസ്റ്റലില് ഒരു സുഷിരം ഉണ്ടാകുന്നു. അതുകൊണ്ട്‌ ഈ ആറ്റത്തെ സ്വീകര്‍ത്താവ് (അക്സപ്റ്റര്‍) എന്നു വിളിക്കുന്നു. |
ബാഹ്യതമഷെല്ലില്‍ മൂന്നു ഇലക്ട്രോണുകളുള്ള ബോറോണ്‍('''B'''),ഗാലിയം('''Ga'''), ഇന്‍ഡിയം('''In'''), താലിയം('''Tl''') തുടങ്ങിയ ആറ്റങ്ങള്‍ കൊണ്ടു ഡോപ്പ് ചെയ്യുമ്പോഴണ് '''P''' ടൈപ്പ് സെമികണ്ടക്ട്രര്‍ ഉണ്ടാകുന്നത്. ഇവയുടെ ഒരു ആറ്റത്തിന്‍റെ ബാഹ്യതമഷെല്ലിലുള്ള മൂന്നു ഇലക്ട്രോണുകള്‍ സിലികോണിന്‍റെ നാല് ആറ്റങ്ങളുമായി സഹസംയോജക ബന്ധനത്തില്‍ ഏര്‍പ്പെടുകയും ഒരു ഇലക്ട്രോണിന്റെ കുറവു ഉണ്ടാവുകയും ചെയ്യുന്നു. ഇലക്ട്രോണിന്റെ ഈ കുറവിനെ സുഷിരം('''hole''') എന്നു പറയുന്നു. ഈ സുഷിരത്തിനു അര്‍ദ്ധചാലക ക്രിസ്റ്റലില് സ്വതന്ത്രമായി സഞ്ചരിക്കാന്‍ കഴിയുന്നു. അങ്ങനെ അതിന്‍റെ ചാലകത കൂടുന്നു. അതായത്‌ ബാഹ്യതമഷെല്ലില്‍ മൂന്നു ഇലക്ട്രോണുകളുള്ള ഒരു ആറ്റം കൊണ്ടു ഡോപ്പ് ചെയ്യുമ്പോള്‍ അര്‍ദ്ധചാലക ക്രിസ്റ്റലില് ഒരു സുഷിരം ഉണ്ടാകുന്നു. അതുകൊണ്ട്‌ ഈ ആറ്റത്തെ സ്വീകര്‍ത്താവ് (അക്സപ്റ്റര്‍) എന്നു വിളിക്കുന്നു. |
||
==ബയസിംഗ്== |
== ബയസിംഗ് == |
||
[[ |
[[പ്രമാണം:Diode 3D and ckt.png|thumb|250px|ചിഹ്നത്തിന്റെ രൂപത്തിലുള്ള ഡയോഡ് പാക്കേജുകള്‍]] |
||
ഒരു ഡയോഡില്‍ കൂടി വൈദ്യുതി കടത്തി വിടുന്ന പ്രക്രിയയാണു ബയസിംഗ് . |
ഒരു ഡയോഡില്‍ കൂടി വൈദ്യുതി കടത്തി വിടുന്ന പ്രക്രിയയാണു ബയസിംഗ് . |
||
ഒരു ഡയോഡിനെ രണ്ടു രീതിയില്‍ ബയസ്‌ ചെയ്യാം. |
ഒരു ഡയോഡിനെ രണ്ടു രീതിയില്‍ ബയസ്‌ ചെയ്യാം. |
||
===ഫോര്‍വേഡ്‌ ബയസിംഗ്=== |
=== ഫോര്‍വേഡ്‌ ബയസിംഗ് === |
||
ഒരു PN സന്ധി ഡയോഡിന്റെ '''P''' ഭാഗത്ത്‌ ബാറ്ററിയുടെ പോസിറ്റീവ് ടെര്‍മിനലും, '''N''' ഭാഗത്ത്‌ ബാറ്ററിയുടെ നെഗറ്റീവ് ടെര്‍മിനലും ഘടിപ്പിക്കുമ്പോള്‍, ഡയോഡ് ഫോര്‍വേഡ്‌ ബയസിംഗില്‍ ആകുന്നു. ഫോര്‍വേഡ്‌ ബയസിംഗ് ചെയ്യുമ്പോള്‍ '''P''' ഭാഗത്തെ സുഷിരങ്ങളും, '''N''' ഭാഗത്തെ ഇലക്ട്രോണുകളും സന്ധിയിലേക്കു അടുക്കുകയും അവിട വച്ചു കൂടിച്ചേരുകയും ചെയ്യുന്നു. അങ്ങനെ '''ഫോര്‍വേഡ്‌ ബയസിംഗ് ചെയ്യുമ്പോള്‍ ഡയോഡില്‍ കൂടി വൈദ്യുത പ്രവാഹം സാദ്ധ്യമാകുന്നു'''. |
ഒരു PN സന്ധി ഡയോഡിന്റെ '''P''' ഭാഗത്ത്‌ ബാറ്ററിയുടെ പോസിറ്റീവ് ടെര്‍മിനലും, '''N''' ഭാഗത്ത്‌ ബാറ്ററിയുടെ നെഗറ്റീവ് ടെര്‍മിനലും ഘടിപ്പിക്കുമ്പോള്‍, ഡയോഡ് ഫോര്‍വേഡ്‌ ബയസിംഗില്‍ ആകുന്നു. ഫോര്‍വേഡ്‌ ബയസിംഗ് ചെയ്യുമ്പോള്‍ '''P''' ഭാഗത്തെ സുഷിരങ്ങളും, '''N''' ഭാഗത്തെ ഇലക്ട്രോണുകളും സന്ധിയിലേക്കു അടുക്കുകയും അവിട വച്ചു കൂടിച്ചേരുകയും ചെയ്യുന്നു. അങ്ങനെ '''ഫോര്‍വേഡ്‌ ബയസിംഗ് ചെയ്യുമ്പോള്‍ ഡയോഡില്‍ കൂടി വൈദ്യുത പ്രവാഹം സാദ്ധ്യമാകുന്നു'''. |
||
<br /> |
<br /> |
||
ഒരു PN സന്ധി ഡയോഡിനെ ഫോര്‍വേഡ്‌ ബയസ്‌ ചെയ്യുമ്പോള്‍, ഒരു പ്രത്യേക വോള്‍ട്ടേജ്‌ എത്തുന്നതുവരെ ഡയോഡില്‍ കൂടി വളരെ കുറച്ചു വൈദ്യുതി മാത്രമേ കടന്നു പോകുകയുള്ളൂ. ഈ പ്രത്യേക ഫോര്‍വേഡ്‌ വോള്‍ട്ടേജിനെ '''കട്ട്‌ - ഇന്‍ വോള്‍ട്ടേജ്‌''' ('''cut- in voltage''' അല്ലെങ്കില്‍ '''knee voltage''') എന്നു പറയുന്നു. കട്ട്‌ ഇന്‍ വോള്‍ട്ടേജിനു ശേഷവും ഫോര്‍വേഡ്‌ വോള്‍ട്ടേജ്‌ വര്‍ദ്ധിപ്പിച്ചാല്‍ PN സന്ധി ഡയോഡില്‍ കൂടി ധാരാളം വൈദ്യുതി പ്രവഹിക്കുകയും അത്‌ ഒരു ചാലകത്തെപ്പോലെ വര്‍ത്തിക്കുകയും ചെയ്യുന്നു |
ഒരു PN സന്ധി ഡയോഡിനെ ഫോര്‍വേഡ്‌ ബയസ്‌ ചെയ്യുമ്പോള്‍, ഒരു പ്രത്യേക വോള്‍ട്ടേജ്‌ എത്തുന്നതുവരെ ഡയോഡില്‍ കൂടി വളരെ കുറച്ചു വൈദ്യുതി മാത്രമേ കടന്നു പോകുകയുള്ളൂ. ഈ പ്രത്യേക ഫോര്‍വേഡ്‌ വോള്‍ട്ടേജിനെ '''കട്ട്‌ - ഇന്‍ വോള്‍ട്ടേജ്‌''' ('''cut- in voltage''' അല്ലെങ്കില്‍ '''knee voltage''') എന്നു പറയുന്നു. കട്ട്‌ ഇന്‍ വോള്‍ട്ടേജിനു ശേഷവും ഫോര്‍വേഡ്‌ വോള്‍ട്ടേജ്‌ വര്‍ദ്ധിപ്പിച്ചാല്‍ PN സന്ധി ഡയോഡില്‍ കൂടി ധാരാളം വൈദ്യുതി പ്രവഹിക്കുകയും അത്‌ ഒരു ചാലകത്തെപ്പോലെ വര്‍ത്തിക്കുകയും ചെയ്യുന്നു |
||
===റിവേഴ്‌സ്‌ ബയസിംഗ്=== |
=== റിവേഴ്‌സ്‌ ബയസിംഗ് === |
||
ഒരു PN സന്ധി ഡയോഡിന്റെ '''P''' ഭാഗത്ത്‌ ബാറ്ററിയുടെ നെഗറ്റീവ് ടെര്‍മിനലും, '''N''' ഭാഗത്ത്‌ ബാറ്ററിയുടെ പോസിറ്റീവ് ടെര്‍മിനലും ഘടിപ്പിക്കുമ്പോള്‍, ഡയോഡ് റിവേഴ്‌സ്‌ ബയസിംഗില്‍ ആകുന്നു. റിവേഴ്‌സ്‌ ബയസിംഗ് ചെയ്യുമ്പോള്‍ '''P''' ഭാഗത്തെ സുഷിരങ്ങളും, '''N''' ഭാഗത്തെ ഇലക്ട്രോണുകളും സന്ധിയില്‍ നിന്നും അകന്നു പോകുന്നു. അങ്ങനെ '''റിവേഴ്‌സ്‌ ബയസിംഗ് ചെയ്യുമ്പോള്‍ ഡയോഡില്‍ കൂടി വൈദ്യുത പ്രവാഹം നടക്കുന്നില്ല'''. |
ഒരു PN സന്ധി ഡയോഡിന്റെ '''P''' ഭാഗത്ത്‌ ബാറ്ററിയുടെ നെഗറ്റീവ് ടെര്‍മിനലും, '''N''' ഭാഗത്ത്‌ ബാറ്ററിയുടെ പോസിറ്റീവ് ടെര്‍മിനലും ഘടിപ്പിക്കുമ്പോള്‍, ഡയോഡ് റിവേഴ്‌സ്‌ ബയസിംഗില്‍ ആകുന്നു. റിവേഴ്‌സ്‌ ബയസിംഗ് ചെയ്യുമ്പോള്‍ '''P''' ഭാഗത്തെ സുഷിരങ്ങളും, '''N''' ഭാഗത്തെ ഇലക്ട്രോണുകളും സന്ധിയില്‍ നിന്നും അകന്നു പോകുന്നു. അങ്ങനെ '''റിവേഴ്‌സ്‌ ബയസിംഗ് ചെയ്യുമ്പോള്‍ ഡയോഡില്‍ കൂടി വൈദ്യുത പ്രവാഹം നടക്കുന്നില്ല'''. |
||
<br /> |
<br /> |
||
| വരി 38: | വരി 38: | ||
*ഫുള്‍വേവ്‌ റക്ടിഫയര്‍ : പ്രത്യാവര്‍ത്തിധാരാ വൈദ്യുതിയുടെ രണ്ടു അര്‍ദ്ധ ചക്രങ്ങള്‍ക്കും ഔട്ട്‌പുട്ടില്‍ നേര്‍ധാരാ വൈദ്യുതി പ്രവാഹം സാദ്ധ്യമാക്കുന്ന റക്ടിഫയര്‍ ആണ് ഫുള്‍വേവ്‌ റക്ടിഫയര്‍ |
*ഫുള്‍വേവ്‌ റക്ടിഫയര്‍ : പ്രത്യാവര്‍ത്തിധാരാ വൈദ്യുതിയുടെ രണ്ടു അര്‍ദ്ധ ചക്രങ്ങള്‍ക്കും ഔട്ട്‌പുട്ടില്‍ നേര്‍ധാരാ വൈദ്യുതി പ്രവാഹം സാദ്ധ്യമാക്കുന്ന റക്ടിഫയര്‍ ആണ് ഫുള്‍വേവ്‌ റക്ടിഫയര്‍ |
||
===റേഡിയോ ഡീമോഡുലേഷന്‍=== |
=== റേഡിയോ ഡീമോഡുലേഷന്‍ === |
||
ഒരു റേഡിയോ സിഗ്നലിന്റെ ആംപ്ലിറ്റിയൂഡിലാണ്‌ യഥാര്‍ത്ഥ ശബ്ദവിവരം ഇരിക്കുന്നത്‌. ഈ സിഗ്നലിന്റെ ആംപ്ലിറ്റിയൂഡ്‌ വേര്‍തിരിച്ചെടുക്കുവാന്‍ ഡയോഡ് ഡിറ്റക്ടര്‍ സര്ക്കീട്ട് ഉപയോഗിക്കാം. ഈ ശബ്ദവിവരം ആംപ്ലിഫൈ ചെയ്‌ത്‌ ലൗഡ്‌ സ്‌പീക്കറില്‍ കൊടുക്കുമ്പോള്‍, അത്‌ ശബ്ദമായി മാറുന്നു. |
ഒരു റേഡിയോ സിഗ്നലിന്റെ ആംപ്ലിറ്റിയൂഡിലാണ്‌ യഥാര്‍ത്ഥ ശബ്ദവിവരം ഇരിക്കുന്നത്‌. ഈ സിഗ്നലിന്റെ ആംപ്ലിറ്റിയൂഡ്‌ വേര്‍തിരിച്ചെടുക്കുവാന്‍ ഡയോഡ് ഡിറ്റക്ടര്‍ സര്ക്കീട്ട് ഉപയോഗിക്കാം. ഈ ശബ്ദവിവരം ആംപ്ലിഫൈ ചെയ്‌ത്‌ ലൗഡ്‌ സ്‌പീക്കറില്‍ കൊടുക്കുമ്പോള്‍, അത്‌ ശബ്ദമായി മാറുന്നു. |
||
==വിവിധതരം ഡയോഡുകള്‍ == |
== വിവിധതരം ഡയോഡുകള്‍ == |
||
പല ഉപയോഗങ്ങള്‍ക്കായി പല തരത്തിലുള്ള ഡയോഡുകളാണ് ഉപയോഗിക്കുന്നത്. അവയുടെ ഭൌതിക വലിപ്പത്തിലും, ഡോപ്പിങ് ലെവലിലും ഉള്ള വ്യത്യാസം അനുസരിച്ച് അവ പല ഉപയോഗങ്ങള്‍ക്കായി ഉപയോഗിക്കുന്നു. |
പല ഉപയോഗങ്ങള്‍ക്കായി പല തരത്തിലുള്ള ഡയോഡുകളാണ് ഉപയോഗിക്കുന്നത്. അവയുടെ ഭൌതിക വലിപ്പത്തിലും, ഡോപ്പിങ് ലെവലിലും ഉള്ള വ്യത്യാസം അനുസരിച്ച് അവ പല ഉപയോഗങ്ങള്‍ക്കായി ഉപയോഗിക്കുന്നു. |
||
{{float_begin|side=right}} |
{{float_begin|side=right}} |
||
|- align = "center" |
|- align = "center" |
||
| [[ |
| [[പ്രമാണം:Diode symbol.svg|100px|Diode symbol]] |
||
| [[ |
| [[പ്രമാണം:Zener diode symbol.svg|100px|Zener diode symbol]] |
||
| [[ |
| [[പ്രമാണം:Schottky diode symbol.svg|100px|Schottky diode symbol]] |
||
| [[ |
| [[പ്രമാണം:Tunnel diode symbol.svg|100px|Tunnel diode symbol]] |
||
|- align = "center" |
|- align = "center" |
||
| ഡയോഡ് |
| ഡയോഡ് |
||
| വരി 55: | വരി 55: | ||
| [[ടണല്‍ ഡയോഡ്]] |
| [[ടണല്‍ ഡയോഡ്]] |
||
|- align = "center" |
|- align = "center" |
||
| [[ |
| [[പ്രമാണം:LED symbol.svg|100px]] |
||
| [[ |
| [[പ്രമാണം:Photodiode symbol.svg|100px]] |
||
| [[ |
| [[പ്രമാണം:Varicap symbol.svg|100px]] |
||
| [[ |
| [[പ്രമാണം:SCR symbol.svg|100px]] |
||
|- align = "center" |
|- align = "center" |
||
| [[ലൈറ്റ് എമിറ്റിങ് ഡയോഡ്]] |
| [[ലൈറ്റ് എമിറ്റിങ് ഡയോഡ്]] |
||
| വരി 65: | വരി 65: | ||
| [[സിലിക്കണ്‍ കണ്‍ട്രോള്‍ഡ് റക്ടിഫയര്‍]] |
| [[സിലിക്കണ്‍ കണ്‍ട്രോള്‍ഡ് റക്ടിഫയര്‍]] |
||
{{float_end|caption=വിവിധ ഡയോഡുകളുടെ ചിഹ്നങ്ങള്‍}} |
{{float_end|caption=വിവിധ ഡയോഡുകളുടെ ചിഹ്നങ്ങള്‍}} |
||
[[ |
[[പ്രമാണം:Diodes.jpg|thumb|പലതരം ഡയോഡുകള്‍ (സ്കെയില്‍ സെന്റീമീറ്ററില്‍)]] |
||
| വരി 79: | വരി 79: | ||
{{electronics-stub}} |
{{electronics-stub}} |
||
[[ |
[[വര്‍ഗ്ഗം:ഇലക്ട്രോണിക് ഉപകരണങ്ങള്‍]] |
||
[[af:Diode]] |
[[af:Diode]] |
||
| വരി 137: | വരി 137: | ||
[[tr:Diyot]] |
[[tr:Diyot]] |
||
[[uk:Діод]] |
[[uk:Діод]] |
||
[[ur:دوبرقیرہ]] |
|||
[[vi:Điốt bán dẫn]] |
[[vi:Điốt bán dẫn]] |
||
[[zh:二極體]] |
[[zh:二極體]] |
||
09:15, 4 സെപ്റ്റംബർ 2009-നു നിലവിലുണ്ടായിരുന്ന രൂപം
ഒരു ദിശയില്‍ മാത്രം വൈദ്യുതി കടത്തി വിടുന്ന ഉപകരണമാണ്‌ ഡയോഡ്. ഇക്കാലത്ത് അര്‍ദ്ധചാലകങ്ങള്‍ (സെമികണ്ടക്ട്രര്‍) ഉപയോഗിച്ചാണ്‌ ഡയോഡുകള്‍ നിര്‍മ്മിക്കുന്നതെങ്കില്‍, അര്‍ദ്ധചാലക ഉപകരണങ്ങളുടെ ആവിര്‍ഭാവത്തിനു മുന്‍പ് തെര്‍മയോണിക് ഡയോഡുകളാണ് ഉപയോഗിച്ചിരുന്നത്. സാധാരണയായി സിലിക്കണ്‍ അല്ലെങ്കില്‍ ജര്‍മ്മേനിയം അര്‍ദ്ധചാലകമാണ് ഡയോഡ് നിര്‍മ്മിക്കാന്‍ ഉപയോഗിക്കുന്നത്. ഒരു അര്‍ദ്ധചാലകത്തിന്‍റെ ഒരു വശത്തു ദാതാവ്(ഡോണര്‍) ആറ്റം കൊണ്ടും മറു വശത്തു സ്വീകര്‍ത്താവ് (അക്സപ്റ്റര്‍) കൊണ്ടും ഡോപ്പ് ചെയ്തുമാണ് ഡയോഡ് നിര്‍മ്മിക്കുന്നത്.അക്സപ്റ്റര്‍ കൊണ്ടു ഡോപ്പു ചെയ്ത ഭാഗത്തെ P ടൈപ്പ് അര്‍ദ്ധചാലകം എന്നും ഡോണര്‍ കൊണ്ടു ഡോപ്പു ചെയ്ത ഭാഗത്തെ N ടൈപ്പ് അര്‍ദ്ധചാലകം എന്നും പറയുന്നു. P ടൈപ്പ് അര്‍ദ്ധചാലകത്തില്‍ സുഷിരങ്ങള്‍ (Holes, പോസിറ്റീവ് ചാര്‍ജ്ജാണ് ഇവയ്ക്ക്) ആണ് വൈദ്യുതി ചാലനം നടത്തുന്നത്, N ടൈപ്പില്‍ ഇലക്ട്രോണുകളും (Electrons, നെഗറ്റീവ് ചാര്‍ജ്ജാണ് ഇവയ്ക്ക്).
ഡോപ്പിങ്
സിലികോണ്‍, ജര്‍മ്മേനിയം എന്നിങ്ങനെയുള്ള അര്‍ദ്ധചാലകങ്ങളുടെ ബാഹ്യതമഷെല്ലില്‍ നാല് ഇലക്ട്രോണുകളാണുള്ളത്. ഇവയുടെ ചാലകത വളരെ കുറവാണ്. പൂജ്യം കെല്‍വിന്‍ താപനിലയില്‍ അര്‍ദ്ധചാലകങ്ങളുടെ ചാലകത പൂജ്യം ആണ്. എന്നാല്‍ അന്തരീക്ഷ ഊഷ്‌മാവില്‍ നിന്നും ഊര്‍ജ്ജം സ്വീകരിച്ചുകൊണ്ട്‌ ധാരാളം സഹസംയോജക ബന്ധനങ്ങള്‍ വേര്‍പെടുകയും, ഇലക്ട്രോണ്‍-ഹോള്‍ ജോഡികള്‍ (pair) ഉണ്ടാക്കപ്പെടുകയും ചെയ്യുന്നു. ഇത് ചാലകത വര്‍ദ്ധിപ്പിക്കുന്നു. ഇവയുടെ ചാലകത വര്‍ദ്ധിപ്പിക്കാനായി പുറത്തു നിന്നു മറ്റു പല ആറ്റങ്ങളെ ചേര്‍ക്കുന്ന പ്രക്രിയയാണ് ഡോപ്പിങ്.
N ടൈപ്പ് സെമികണ്ടക്ട്രര്‍
ബാഹ്യതമഷെല്ലില്‍ അഞ്ച് ഇലക്ട്രോണുകളുള്ള ഫോസ്ഫറസ്(P), ആന്‍റിമണി(Sb), ബിസ്മത്ത് (Bi) തുടങ്ങിയ ആറ്റങ്ങള്‍ കൊണ്ടു ഡോപ്പ് ചെയ്യുമ്പോഴണ് N ടൈപ്പ് സെമികണ്ടക്ട്രര്‍ ഉണ്ടാകുന്നത്. ഇവയുടെ ഒരു ആറ്റത്തിന്‍റെ ബാഹ്യതമഷെല്ലിലുള്ള അഞ്ച് ഇലക്ട്രോണുകള്‍ സിലികോണിന്‍റെ നാല് ആറ്റങ്ങളുമായി സഹസംയോജക ബന്ധനത്തില്‍ ഏര്‍പ്പെടുകയും ഒരു ഇലക്ട്രോണ്‍ ബാക്കിയാകുകയും ചെയ്യുന്നു. ഈ ഇലക്ട്രോണിന് അര്‍ദ്ധചാലക ക്രിസ്റ്റലില് സ്വതന്ത്രമായി സഞ്ചരിക്കാന്‍ കഴിയുന്നു. അങ്ങനെ അതിന്‍റെ ചാലകത കൂടുന്നു. അതായത്‌ ബാഹ്യതമഷെല്ലില്‍ അഞ്ച് ഇലക്ട്രോണുകളുള്ള ഒരു ആറ്റം കൊണ്ടു ഡോപ്പ് ചെയ്യുമ്പോള്‍ അര്‍ദ്ധചാലക ക്രിസ്റ്റലില് ഒരു ഇലക്ട്രോണ്‍ കൂടുതല്‍ കിട്ടുന്നു. അതുകൊണ്ട്‌ ഈ ആറ്റത്തെ ദാതാവ് (ഡോണര്‍) എന്നു വിളിക്കുന്നു.
P ടൈപ്പ് സെമികണ്ടക്ട്രര്‍
ബാഹ്യതമഷെല്ലില്‍ മൂന്നു ഇലക്ട്രോണുകളുള്ള ബോറോണ്‍(B),ഗാലിയം(Ga), ഇന്‍ഡിയം(In), താലിയം(Tl) തുടങ്ങിയ ആറ്റങ്ങള്‍ കൊണ്ടു ഡോപ്പ് ചെയ്യുമ്പോഴണ് P ടൈപ്പ് സെമികണ്ടക്ട്രര്‍ ഉണ്ടാകുന്നത്. ഇവയുടെ ഒരു ആറ്റത്തിന്‍റെ ബാഹ്യതമഷെല്ലിലുള്ള മൂന്നു ഇലക്ട്രോണുകള്‍ സിലികോണിന്‍റെ നാല് ആറ്റങ്ങളുമായി സഹസംയോജക ബന്ധനത്തില്‍ ഏര്‍പ്പെടുകയും ഒരു ഇലക്ട്രോണിന്റെ കുറവു ഉണ്ടാവുകയും ചെയ്യുന്നു. ഇലക്ട്രോണിന്റെ ഈ കുറവിനെ സുഷിരം(hole) എന്നു പറയുന്നു. ഈ സുഷിരത്തിനു അര്‍ദ്ധചാലക ക്രിസ്റ്റലില് സ്വതന്ത്രമായി സഞ്ചരിക്കാന്‍ കഴിയുന്നു. അങ്ങനെ അതിന്‍റെ ചാലകത കൂടുന്നു. അതായത്‌ ബാഹ്യതമഷെല്ലില്‍ മൂന്നു ഇലക്ട്രോണുകളുള്ള ഒരു ആറ്റം കൊണ്ടു ഡോപ്പ് ചെയ്യുമ്പോള്‍ അര്‍ദ്ധചാലക ക്രിസ്റ്റലില് ഒരു സുഷിരം ഉണ്ടാകുന്നു. അതുകൊണ്ട്‌ ഈ ആറ്റത്തെ സ്വീകര്‍ത്താവ് (അക്സപ്റ്റര്‍) എന്നു വിളിക്കുന്നു.
ബയസിംഗ്
ഒരു ഡയോഡില്‍ കൂടി വൈദ്യുതി കടത്തി വിടുന്ന പ്രക്രിയയാണു ബയസിംഗ് . ഒരു ഡയോഡിനെ രണ്ടു രീതിയില്‍ ബയസ്‌ ചെയ്യാം.
ഫോര്‍വേഡ്‌ ബയസിംഗ്
ഒരു PN സന്ധി ഡയോഡിന്റെ P ഭാഗത്ത്‌ ബാറ്ററിയുടെ പോസിറ്റീവ് ടെര്‍മിനലും, N ഭാഗത്ത്‌ ബാറ്ററിയുടെ നെഗറ്റീവ് ടെര്‍മിനലും ഘടിപ്പിക്കുമ്പോള്‍, ഡയോഡ് ഫോര്‍വേഡ്‌ ബയസിംഗില്‍ ആകുന്നു. ഫോര്‍വേഡ്‌ ബയസിംഗ് ചെയ്യുമ്പോള്‍ P ഭാഗത്തെ സുഷിരങ്ങളും, N ഭാഗത്തെ ഇലക്ട്രോണുകളും സന്ധിയിലേക്കു അടുക്കുകയും അവിട വച്ചു കൂടിച്ചേരുകയും ചെയ്യുന്നു. അങ്ങനെ ഫോര്‍വേഡ്‌ ബയസിംഗ് ചെയ്യുമ്പോള്‍ ഡയോഡില്‍ കൂടി വൈദ്യുത പ്രവാഹം സാദ്ധ്യമാകുന്നു.
ഒരു PN സന്ധി ഡയോഡിനെ ഫോര്‍വേഡ്‌ ബയസ്‌ ചെയ്യുമ്പോള്‍, ഒരു പ്രത്യേക വോള്‍ട്ടേജ്‌ എത്തുന്നതുവരെ ഡയോഡില്‍ കൂടി വളരെ കുറച്ചു വൈദ്യുതി മാത്രമേ കടന്നു പോകുകയുള്ളൂ. ഈ പ്രത്യേക ഫോര്‍വേഡ്‌ വോള്‍ട്ടേജിനെ കട്ട്‌ - ഇന്‍ വോള്‍ട്ടേജ്‌ (cut- in voltage അല്ലെങ്കില്‍ knee voltage) എന്നു പറയുന്നു. കട്ട്‌ ഇന്‍ വോള്‍ട്ടേജിനു ശേഷവും ഫോര്‍വേഡ്‌ വോള്‍ട്ടേജ്‌ വര്‍ദ്ധിപ്പിച്ചാല്‍ PN സന്ധി ഡയോഡില്‍ കൂടി ധാരാളം വൈദ്യുതി പ്രവഹിക്കുകയും അത്‌ ഒരു ചാലകത്തെപ്പോലെ വര്‍ത്തിക്കുകയും ചെയ്യുന്നു
റിവേഴ്‌സ്‌ ബയസിംഗ്
ഒരു PN സന്ധി ഡയോഡിന്റെ P ഭാഗത്ത്‌ ബാറ്ററിയുടെ നെഗറ്റീവ് ടെര്‍മിനലും, N ഭാഗത്ത്‌ ബാറ്ററിയുടെ പോസിറ്റീവ് ടെര്‍മിനലും ഘടിപ്പിക്കുമ്പോള്‍, ഡയോഡ് റിവേഴ്‌സ്‌ ബയസിംഗില്‍ ആകുന്നു. റിവേഴ്‌സ്‌ ബയസിംഗ് ചെയ്യുമ്പോള്‍ P ഭാഗത്തെ സുഷിരങ്ങളും, N ഭാഗത്തെ ഇലക്ട്രോണുകളും സന്ധിയില്‍ നിന്നും അകന്നു പോകുന്നു. അങ്ങനെ റിവേഴ്‌സ്‌ ബയസിംഗ് ചെയ്യുമ്പോള്‍ ഡയോഡില്‍ കൂടി വൈദ്യുത പ്രവാഹം നടക്കുന്നില്ല.
റിവേഴ്‌സ്‌ ബയസ്‌ ചെയ്യുമ്പോള്‍ ഡയോഡില്‍ കൂടി വൈദ്യുതി പ്രവാഹം ഉണ്ടാകുന്നില്ല (മൈനോരിറ്റി ചാര്‍ജ്ജ്‌ വാഹകര്‍ ഉണ്ടാക്കുന്ന വളരെ ചെറിയ വൈദ്യുത പ്രവാഹം മാറ്റി നിര്‍ത്തിയാല്‍). റിവേഴ്‌സ്‌ ബയസ്‌ വോള്‍ട്ടേജ്‌ വളരെ കൂടിയാല്‍ ഒരു പ്രത്യേക റിവേഴ്‌സ്‌ വോള്‍ട്ടേജില്‍ ഡയോഡിന്‌ റിവേഴ്‌സ്‌ ബ്രേക്ക്‌ഡൗണ്‍ സംഭവിക്കുകയും ഡയോഡ് ഉപയോഗശൂന്യവും ആകുന്നു. ഈ വോള്‍ട്ടേജിനെ റിവേഴ്‌സ്‌ ബ്രേക്ക്‌ഡൗണ്‍ വോള്‍ട്ടേജ്‌ (Reverse breakdown voltage)എന്നു പറയുന്നു. അതുകൊണ്ട്‌ ഒരിക്കലും റിവേഴ്‌സ്‌ ബയസ്‌ വോള്‍ട്ടേജ്‌, റിവേഴ്‌സ്‌ ബ്രേക്ക്‌ഡൗണ്‍ വോള്‍ട്ടേജിനെക്കാളും കൂടുതല്‍ ആകരുത്‌.
ഉപയോഗങ്ങള്‍
റക്ടിഫിക്കേഷന്‍
PN സന്ധി ഡയോഡിന്റെ ഏറ്റവും പ്രധാന ഉപയോഗമാണ്‌ റക്ടിഫിക്കേഷന്‍.
പ്രത്യാവര്‍ത്തിധാരാ വൈദ്യുതിയെ (Alternating Current) നേര്‍ധാരാ വൈദ്യുതിയാക്കി (Direct Current) മാറ്റുന്ന പ്രക്രിയയാണ് റക്ടിഫിക്കേഷന്‍. റക്ടിഫിക്കേഷന്‍ നടത്തുന്ന ഉപകരണം റക്ടിഫയര്‍ എന്നറിയപ്പെടുന്നു റക്ടിഫയറുകള്‍ രണ്ടു തരത്തിലുണ്ട്‌ - ഹാഫ്‌വേവ്‌ റക്ടിഫയര്‍ (Half Wave Rectifier), ഫുള്‍വേവ്‌ റക്ടിഫയര്‍ (Full Wave Rectifier).
- ഹാഫ്‌വേവ്‌ റക്ടിഫയര്‍ : പ്രത്യാവര്‍ത്തിധാരാ വൈദ്യുതിയുടെ ഒരു അര്‍ദ്ധ ചക്രത്തിനു മാത്രം ഔട്ട്‌പുട്ടില്‍ നേര്‍ധാരാ വൈദ്യുതി പ്രവാഹം സാദ്ധ്യമാക്കുന്ന റക്ടിഫയര്‍ ആണ് ഹാഫ്‌വേവ്‌ റക്ടിഫയര്‍.
- ഫുള്‍വേവ്‌ റക്ടിഫയര്‍ : പ്രത്യാവര്‍ത്തിധാരാ വൈദ്യുതിയുടെ രണ്ടു അര്‍ദ്ധ ചക്രങ്ങള്‍ക്കും ഔട്ട്‌പുട്ടില്‍ നേര്‍ധാരാ വൈദ്യുതി പ്രവാഹം സാദ്ധ്യമാക്കുന്ന റക്ടിഫയര്‍ ആണ് ഫുള്‍വേവ്‌ റക്ടിഫയര്‍
റേഡിയോ ഡീമോഡുലേഷന്‍
ഒരു റേഡിയോ സിഗ്നലിന്റെ ആംപ്ലിറ്റിയൂഡിലാണ്‌ യഥാര്‍ത്ഥ ശബ്ദവിവരം ഇരിക്കുന്നത്‌. ഈ സിഗ്നലിന്റെ ആംപ്ലിറ്റിയൂഡ്‌ വേര്‍തിരിച്ചെടുക്കുവാന്‍ ഡയോഡ് ഡിറ്റക്ടര്‍ സര്ക്കീട്ട് ഉപയോഗിക്കാം. ഈ ശബ്ദവിവരം ആംപ്ലിഫൈ ചെയ്‌ത്‌ ലൗഡ്‌ സ്‌പീക്കറില്‍ കൊടുക്കുമ്പോള്‍, അത്‌ ശബ്ദമായി മാറുന്നു.
വിവിധതരം ഡയോഡുകള്‍
പല ഉപയോഗങ്ങള്‍ക്കായി പല തരത്തിലുള്ള ഡയോഡുകളാണ് ഉപയോഗിക്കുന്നത്. അവയുടെ ഭൌതിക വലിപ്പത്തിലും, ഡോപ്പിങ് ലെവലിലും ഉള്ള വ്യത്യാസം അനുസരിച്ച് അവ പല ഉപയോഗങ്ങള്‍ക്കായി ഉപയോഗിക്കുന്നു.
|
|
|
|
| ഡയോഡ് | സെനര്‍ ഡയോഡ് | ഷോട്ട്കി ഡയോഡ് | ടണല്‍ ഡയോഡ് |
|
|
|
|
| ലൈറ്റ് എമിറ്റിങ് ഡയോഡ് | ഫോട്ടോഡയോഡ് | വരാക്ടര്‍ | സിലിക്കണ്‍ കണ്‍ട്രോള്‍ഡ് റക്ടിഫയര്‍ |
- സെനർ ഡയോഡ് (Zenor diode).
- ഷോട്ട്കി ഡയോഡ് (Schottky diode).
- ടണല്‍ ഡയോഡ് (Tunnel diode).
- ലൈറ്റ് എമിറ്റിങ് ഡയോഡ് (Light Emitting diode- L.E.D)
- ഫോട്ടോ ഡയോഡ് (Photodiode).
- വരാക്ടര്‍ ഡയോഡ് (Varicap or varactor diode).
- സിലിക്കണ്‍ കണ്‍ട്രോള്‍ഡ് റക്ടിഫയര്‍ (Silicon Controlled Rectifier- S.C.R)
|
ഇലക്ട്രോണിക്സുമായി ബന്ധപ്പെട്ട ഈ ലേഖനം അപൂർണ്ണമാണ്‌. ഇതു വികസിപ്പിക്കുവാൻ സഹായിക്കുക. |